تحریک شکاف موازی طولی توسط تیغه‌ی زیگ زاگی شکل، در موجبر مجتمع شده در زیر لایه

در این مقاله کاربرد یک موجبر مجتمع شده در زیر لایه با تیغه زیگ زاگی شکل، برای تحریک آنتن شکافی طولی موازی نشان داده شده است. دو رابطه‌ی اصلی یرای طراحی ساختار موجبر مجتمع شده در زیر لایه و به دست آوردن پارامترهای ساختار مورد نظر، برای تحریک شکاف موازی طولی توسط تیغه زیگ زاگی شکل، در موجبر مجتمع شده در زیر لایه تعیین شده است. تیغه زیگ زاگی درست زیر شکاف طولی قرار گرفته است. شکاف مورد نظر در امتداد خط مرکزی موجبر و در مرکز موجبر روی سطح مسی دی الکتریک و بالای موجبر قرار می‌گیرد. میزان عمق زیگ‌زاگ از خط مرکزی موجبر متناسب با تشعشع مورد نیاز از شکاف است و کنداکتانس نرمالیزه شده شکاف نیز با افزایش عمق زیگ زاگ می‌تواند افزایش یابد. در این مقاله فرض توزیع المان موازی برای ساختار پیشنهادی در نظر گرفته شد. نتایج شبیه‌سازی نشان می‌دهد ساختار پیشنهادی، کاندیدای مناسبی برای جایگزینی با شکاف موازی طولی رایج است. از جمله دلایلی که این ساختار برای تحریک یک آنتن شکافی طولی معرفی شده است، هزینه ساخت کم، کوچک بودن و سازگاری آن‌ها با مدارهای مایکرواستریپ است. هم چنین با توجه به این که شکاف مورد نظر در امتداد خط مرکزی موجبر قرار می‌گیرد و عمق زیگ زاگ جایگزین انحراف شکاف از خط مرکزی (offset) می‌شود، با این روش می‌توانیم طراز گلبرگ‌های پروانه‌ای‌در الگوی تشعشعی یک آرایه متشکل از ساختار پیشنهادی را کاهش دهیم.